[16p-Z10-1~17] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16p-Z10-11] III-V-OI 基板上における量子井戸インターミキシング量拡大による導波損失の低減

〇関根 尚希¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大工)

キーワード：量子井戸インターミキシング、導波路

これまでに量子井戸インターミキシングにより作製した導波路型受光器を報告したが、バンドギャップ拡大量が少なくバンドエッジ吸収の影響が顕著であった。本研究ではバンドギャップの拡大によりバンドエッジ吸収の抑制に成功した。