[16p-Z10-1~17] 3.15 Silicon photonics and integrated photonics

[16p-Z10-5] Photoluminescence spectroscopy of GaInAsP/GaInAsP MQW structure
grown on wafer bonded InP/Si substrate using selective MOVPE

〇Kota Shibukawa¹, Koki Tsushima¹, Shingo Ito¹, Takahiro Ishizaki¹, Koji Agata¹, Takuto Shirai¹, Motonari Sato¹, Momoko Kotani¹, Xu Han¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, Optical Interconnection, Optical Communication

シリコンフォトニクスにおけるレーザ光源開発のために，われわれは薄膜InPをSi基板に直接貼り付けをし，これにMOVPE成長，光デバイス作製を行う手法を提案してきた[1,2]．今回，これらの基板において，フォトリソグラフィによってSiO₂薄膜を任意の幅でパターニングし，SiO₂がないストライプ部に選択的にエピタキシャル成長をすることで，GaInAsP/ GaInAsP MQW構造を成長した. この構造のフォトルミネッセンス特性の比較を行ったので，その結果を報告する．