[16p-Z10-1~17] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16p-Z10-5] 選択成長MOVPEによる直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP MQW構造の
フォトルミネッセンス特性

〇澁川 航大¹、対馬 幸樹¹、伊藤 慎吾¹、石崎 隆浩¹、阿形 幸二¹、白井 琢人¹、佐藤 元就¹、小谷 桃子¹、韓 旭¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

シリコンフォトニクスにおけるレーザ光源開発のために，われわれは薄膜InPをSi基板に直接貼り付けをし，これにMOVPE成長，光デバイス作製を行う手法を提案してきた[1,2]．今回，これらの基板において，フォトリソグラフィによってSiO₂薄膜を任意の幅でパターニングし，SiO₂がないストライプ部に選択的にエピタキシャル成長をすることで，GaInAsP/ GaInAsP MQW構造を成長した. この構造のフォトルミネッセンス特性の比較を行ったので，その結果を報告する．