[16p-Z10-1~17] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16p-Z10-6] 多段テーパ構造によるInP系利得領域/Si導波路光結合部を有するハイブリッド集積レーザの波長可変動作

〇菊地 健彦^1,2、平谷 拓生¹、藤原 直樹^1,2,4、井上 尚子¹、新田 俊之^1,2、モータズ エイッサ²、御手洗 拓矢²、大礒 義孝²、西山 伸彦^2,3、八木 英樹^1,4 (1.住友電工伝送デバイス研、2.東工大工、3.東工大未来研、4.光産業技術振興協会)

キーワード：III-V/Siハイブリッド集積、波長可変レーザ、直接接合

III-V/Siハイブリッド集積は小型・高速・低消費電力な次世代光集積回路実現に対し有望である。我々はこれまでに、InP系利得領域とSi導波路間を二段テーパ構造で接続し、Si導波路端面を反射鏡としたファブリペローレーザを実現してきた。今回我々は上記のテーパ構造をテーパ上まで電極形成した三段構造を有するInP系利得領域/Si集積レーザを試作し、波長可変と半導体光増幅器(SOA)動作を実現したので報告する。