[16p-Z10-1~17] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16p-Z10-8] InP薄膜への選択成長によるSi基板上多波長薄膜レーザアレイの作製

〇藤井 拓郎¹、佐藤 具就¹、Diamantopoulos Nikolaos-Panteleimon¹、武田 浩司¹、鶴谷 拓磨¹、西 英隆¹、土澤 泰¹、松尾 慎治¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：半導体レーザ、シリコンフォトニクス、エピタキシャル成長

データセンタ通信の高速化・省電力化に向けて、我々はSi基板上に直接接合したInP系薄膜を用いて、光源を含む化合物半導体光デバイスをSi基板上へ集積することを提案している。今回、InP薄膜上へのMQW選択成長技術により、利得ピーク波長が最大150 nm異なる8種類のMQWをSi基板上で一度に成長することに成功した。また、このMQWを用いて8チャネル多波長薄膜レーザアレイを作製し、155 nmの波長範囲でシングルモードかつ室温連続動作した。