[16p-Z12-1~17] 8.8 プラズマエレクトロニクス分科会30周年記念特別セッション

[16p-Z12-14] 塩素吸着を用いた窒化ガリウムの原子層エッチングプロセス特性のArイオンエネルギー依存性

〇堤 隆嘉¹、長谷川 将希¹、中村 昭平^1,2、谷出 敦²、近藤 博基¹、関根 誠¹、石川 健治¹、堀 勝¹ (1.名大、2.SCREENホールディングス)

キーワード：原子層エッチング、窒化ガリウム

GaNの原子層エッチングは塩素吸着とArイオン衝撃のサイクルプロセスが考案されているが、サイクルプロセス中のGaN表面における反応機構は理解されていない。本研究では、Clラジカルのフラックス及びArイオンのエネルギーとフラックスを高精度で制御できるプラズマビーム装置とその場X線光電子分光法（In-situ XPS）を用いて、サイクルプロセス中のGaN表面における基礎反応の定量的解析およびイオンエネルギー依存性を行った。