[16p-Z19-1~23] 10.1 Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and characterization methodologies)

[16p-Z19-4] Cr₂O₃ thickness dependence of magnetoelectric switching energy of exchange bias

〇Yu Shiratsuchi¹, Kenatro Toyoki¹, Yiran Tao¹, Ryoichi Nakatani¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:magnetoelectric effect, Cr2O3 thin film

反強磁性体は，スピントロニクス・ナノ磁気デバイスの機能を革新的に飛躍させる可能性をもつが，磁気モーメントが補償されているため，磁場やスピン偏極電流による磁性制御が困難である．我々は，反強磁性スピンの制御方法として電気磁気効果（ME効果）に着目し，Cr₂O₃薄膜の電気磁気効果に基づいた反強磁性ドメイン制御とそれに基づく垂直交換バイアスの極性反転に関する研究を進めている．本研究では，Cr₂O₃薄膜の30 nmまでの低膜厚化と低膜厚化にともなう反転エネルギーの変化について検討した結果について報告する．