2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)

[16p-Z19-1~23] 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)

2021年3月16日(火) 13:00 〜 19:30 Z19 (Z19)

小峰 啓史(茨城大)、介川 裕章(物材機構)、羽尻 哲也(名大)、井口 亮(物材機構)

13:45 〜 14:00

[16p-Z19-4] 電気磁気効果誘起交換バイアス反転条件のCr2O3膜厚依存性

白土 優1、豊木 研太郎1、陶 亦然1、中谷 亮一1 (1.阪大工)

キーワード:電気磁気効果、Cr2O3薄膜

反強磁性体は,スピントロニクス・ナノ磁気デバイスの機能を革新的に飛躍させる可能性をもつが,磁気モーメントが補償されているため,磁場やスピン偏極電流による磁性制御が困難である.我々は,反強磁性スピンの制御方法として電気磁気効果(ME効果)に着目し,Cr2O3薄膜の電気磁気効果に基づいた反強磁性ドメイン制御とそれに基づく垂直交換バイアスの極性反転に関する研究を進めている.本研究では,Cr2O3薄膜の30 nmまでの低膜厚化と低膜厚化にともなう反転エネルギーの変化について検討した結果について報告する.