[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-Z23-1] トポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃の低温エピタキシャル成長と電気特性評価

〇野崎 孝武¹、近藤 智裕¹、太田 裕己²、米澤 健²、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工、2.ケニックス(株))

キーワード：トポロジカル絶縁体

我々はトポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃ をベースとした新規人工超格子トポロジカル絶縁体の作製を目標としている．しかしBi₂Se₃ では Se 欠陥由来の電子ドープが問題となっており，バルクキャリア濃度の低減が必要不可欠である．そこで本研究では，バルクキャリア濃度の低減を目的に，Bi₂Se₃ の低温成長を検証した．