3:15 PM - 3:30 PM
[16p-Z23-7] Carrier lifetime and dark current of Mg2Si pn-junction diode formed on Mg2Si substrate by thermal diffusion
Keywords:Mg2Si
我々は、Mg2Si基板を用いたpn接合フォトダイオードによる赤外線センサの開発を進めている。センサの検出感度の向上には暗電流の低減が必須であり、Mg2Si pn接合フォトダイオードの暗電流を支配する機構を明らかにすることは重要である。今回、J-V特性評価とOCVD法を用いた少数キャリア拡散寿命の評価によってMg2Si pn接合フォトダイオードの暗電流の支配因子について評価を行った。