The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-Z23-1~10] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Tue. Mar 16, 2021 1:30 PM - 4:15 PM Z23 (Z23)

Takashi Suemasu(Univ. of Tsukuba), Kosuke Hara(Univ. of Yamanashi)

3:15 PM - 3:30 PM

[16p-Z23-7] Carrier lifetime and dark current of Mg2Si pn-junction diode formed on Mg2Si substrate by thermal diffusion

Naoki Mizunuma1, Haruhiko Udono1 (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Mg2Si

我々は、Mg2Si基板を用いたpn接合フォトダイオードによる赤外線センサの開発を進めている。センサの検出感度の向上には暗電流の低減が必須であり、Mg2Si pn接合フォトダイオードの暗電流を支配する機構を明らかにすることは重要である。今回、J-V特性評価とOCVD法を用いた少数キャリア拡散寿命の評価によってMg2Si pn接合フォトダイオードの暗電流の支配因子について評価を行った。