[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-Z23-7] 熱拡散でMg₂Si基板に作製したpn接合ダイオードの少数キャリア拡散寿命と暗電流の評価

〇水沼 直樹¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：マグネシウムシリサイド

我々は、Mg₂Si基板を用いたpn接合フォトダイオードによる赤外線センサの開発を進めている。センサの検出感度の向上には暗電流の低減が必須であり、Mg₂Si pn接合フォトダイオードの暗電流を支配する機構を明らかにすることは重要である。今回、J-V特性評価とOCVD法を用いた少数キャリア拡散寿命の評価によってMg₂Si pn接合フォトダイオードの暗電流の支配因子について評価を行った。