[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-Z23-8] リングメッシュ状電極Mg₂Siフォトダイオードの分光感度のバイアス依存性

〇市川 雄大¹、宮内 壮流¹、吉田 美沙²、津谷 大樹²、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大、2.NIMS)

キーワード：半導体、マグネシウムシリサイド、フォトダイオード

我々は安価に大量普及可能なMg₂Si-pn接合フォトダイオード（PD）の開発を進めている。前回、p型Mg₂Si層と接触する金属電極の仕事関数を適切に選択することで受光感度が増加することを報告した。今回、同メッシュ状電極Mg₂Si PDの逆バイアスでの分光感度特性について評価したので報告する。