The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-Z25-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Tue. Mar 16, 2021 1:30 PM - 4:15 PM Z25 (Z25)

Nobuya Mori(Osaka Univ.), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

3:30 PM - 3:45 PM

[16p-Z25-8] Speeding Up Band-to-band Tunneling Simulation of Direct-Gap Semiconductors

〇(B)Jo Okada1, Futo Hashimoto1, Nobuya Mori1 (1.Osaka Univ.)

Keywords:Quantum Transport Simulation, Band-to-band Tunneling, Adaptive Moment Estimation

本研究では,トンネルトランジスタの量子輸送シミュレーションの計算量削減を目指し,目標とする系の実バンド構造だけでなく,複素バンド構造も再現する等価なハミルトニアンを構築する方法を開発した.その後,構築した等価ハミルトニアンを用いて,​直接遷移型半導体ナノワイヤにおけるバンド間トンネル確率を計算し,等価ハミルトニアンの性能評価を行った.