[16p-Z26-1~15] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[16p-Z26-10] Effect of Flash Lamp Annealing on the Ferroelectricity of Hf_xZr_1-xO₂ Thin Film

〇Kento Izumi¹, Hibiki Takahashi¹, Hikaru Kawarazaki², Hideaki tanimura², Shinichi kato², yasuo nara¹ (1.univ. of hyogo, 2.SCREEN semicon)

Keywords:Ferroelectric, HfO2, Thin Film

Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜に対するFLA(Flash Lamp Annealing)効果について、FLAの本加熱温度(Tp)、アシスト加熱温度(Ta)、本加熱時間のパラメータを系統的に変えて強誘電特性を調査した結果を報告する。