[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-Z27-1] Analysis of AlGaN UVB LD to reduce threshold current density

〇Kosuke Sato^1,2, Tomoya Omori², Kazuki Yamada², Shunya Tanaka², Sayaka Ishizuka², Shohei Teramura², Sho Iwayama², Motoaki Iwaya², Hideto Miyake³, Tetsuya Takeuchi², Satoshi Kamiyama², Isamu Akasaki² (1.Asahi-Kasei, 2.Meijo Univ., 3.Mie Univ.)

Keywords:laser diode, ultraviolet, AlGaN

UV LDは材料加工、医療等様々な用途での応用が期待されている。昨年我々は波長298 nmのAlGaN UVB LDを実現した報告を行ったが、閾値電流密度 Jthは25 kA/cm2と高くその低減が課題である。Jthを低減するには各物理パラメータを算出し、因子を分解することが重要である。本研究では、閾値電流密度の共振器長依存性の理論式に関わる各種パラメータをシミュレーション、光学測定、電気特性を解析することで算出したので報告する。