[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-1] AlGaN UVB LDの閾値電流密度低減に向けた解析

〇佐藤 恒輔^1,2、大森 智也²、山田 和輝²、田中 隼也²、石塚 彩花²、手良村 昌平²、岩谷 章²、岩谷 素顕²、三宅 秀人³、竹内 哲也²、上山 智²、赤崎 勇² (1.旭化成、2.名城大、3.三重大)

キーワード：レーザダイオード、紫外、AlGaN

UV LDは材料加工、医療等様々な用途での応用が期待されている。昨年我々は波長298 nmのAlGaN UVB LDを実現した報告を行ったが、閾値電流密度 Jthは25 kA/cm2と高くその低減が課題である。Jthを低減するには各物理パラメータを算出し、因子を分解することが重要である。本研究では、閾値電流密度の共振器長依存性の理論式に関わる各種パラメータをシミュレーション、光学測定、電気特性を解析することで算出したので報告する。