[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16p-Z27-15] Pt櫛型電極を水素生成サイトとするGaNモデル光触媒の解析

〇(B)遠藤 達朗¹、沈 昊哉¹、嶺岸 耕²、杉山 正和^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：GaN、光触媒、水素

ワイドギャップ半導体を光触媒として水分解反応を行う際、表面を助触媒で修飾することで性能の向上が期待されるが、反応中のキャリア授受の機構には不明な点が多い。本研究ではGaN表面にPtを担持し、水素生成量とGaNやPtの電位を測定した。結果、Ptを担持することで水素生成量が大きく改善した。また反応中GaNの電位は -0.1V vs RHE にあり、接合がショットキー特性にもかかわらずPtの電位がGaNによく追従することが確認された。