UV-B LDにおける低Al組成のp型AlGaN組成傾斜クラッド層のMg濃度依存性

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15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年3月16日(火) 13:00 〜 17:15 Z27 (Z27)

13:15 〜 13:30

〇(M1)山田和輝¹、大森智也¹、田中隼也¹、荻野雄矢¹、佐藤恒輔^1,2、岩山章^1,3、三宅秀人³、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,4 (1.名城大、2.旭化成、3.三重大、4.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体、UV-B、AlGaN