[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-5] AlGaNホモ接合トンネルジャンクション深紫外LEDの低電圧駆動

〇永田 賢吾^1,2,3、牧野 浩明²、三輪 浩士^2,3、松井 慎一^2,3、坊山 晋也^2,3、齋藤 義樹^2,3、久志本 真希¹、本田 善央⁴、竹内 哲也⁵、天野 浩^4,6,7 (1.名大院工、2.豊田合成、3.TSオプト、4.名大未来材料・システム研究所、5.名城大、6.名大赤﨑記念研究センター、7.名大 VBL)

キーワード：紫外線LED、トンネルジャンクション、AlGaN

今回、我々はTJ部のC濃度抑制、高Siドーピングを行い、AlGaNホモTJ DUV LEDを作製した。作製したTJ LEDの特性は、Po = 31.4 mW、Vf = 10.4 V＠63 A/cm², 波長283 nmと、従来と比べ低い動作電圧が得られた。Top n-AlGaN、n⁺-AlGaNの“キャリア濃度が高くなったことによるTJ層の空乏層幅縮小”と、n^⁺-AlGaNでの“Ⅲ族空孔-Siの複合欠陥などの欠陥準位を伝導すること”、がトンネリング確率を高め、低電圧駆動に寄与していると考えられる。