[16p-Z31-1~18] 17.2 Graphene

△ [16p-Z31-14] Frequency Dependence of RF Characteristics of Graphene Transistors on SiC

〇(M1C)Roki Kohama¹, Fuminori Sasaki¹, Issei Watanabe², Hirokazu Fukidome¹ (1.RIEC Tohoku Univ., 2.NICT)

Keywords:graphene transistor, Frequency Dependence

グラフェンは高いキャリア移動度をもち、低環境負荷であることから、持続可能開発目標に質する次世代デバイス材料である。グラフェンをSiC上にエピタキシャル成長させる際、SiCの終端面によってグラフェンの特性は異なる。Si終端SiC上に作製したものとC終端SiC上に作製したグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)の相互コンダクタンス（RF-g_m）とドレインコンダクタンス（RF-g_ds）の周波数依存性について研究を行った。