2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[16p-Z31-1~18] 17.2 グラフェン

2021年3月16日(火) 13:30 〜 18:30 Z31 (Z31)

永瀬 雅夫(徳島大)、前橋 兼三(農工大)

17:15 〜 17:30

[16p-Z31-14] SiC上のグラフェントランジスタの高周波特性の周波数依存性

〇(M1C)小濱 路生1、佐々木 文憲1、渡邊 一世2、吹留 博一1 (1.東北大通研、2.情報通信研究機構)

キーワード:グラフェントランジスタ、周波数依存性

グラフェンは高いキャリア移動度をもち、低環境負荷であることから、持続可能開発目標に質する次世代デバイス材料である。グラフェンをSiC上にエピタキシャル成長させる際、SiCの終端面によってグラフェンの特性は異なる。Si終端SiC上に作製したものとC終端SiC上に作製したグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)の相互コンダクタンス(RF-gm)とドレインコンダクタンス(RF-gds)の周波数依存性について研究を行った。