[16p-Z31-1~18] 17.2 グラフェン

△ [16p-Z31-14] SiC上のグラフェントランジスタの高周波特性の周波数依存性

〇(M1C)小濱 路生¹、佐々木 文憲¹、渡邊 一世²、吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.情報通信研究機構)

キーワード：グラフェントランジスタ、周波数依存性

グラフェンは高いキャリア移動度をもち、低環境負荷であることから、持続可能開発目標に質する次世代デバイス材料である。グラフェンをSiC上にエピタキシャル成長させる際、SiCの終端面によってグラフェンの特性は異なる。Si終端SiC上に作製したものとC終端SiC上に作製したグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)の相互コンダクタンス（RF-g_m）とドレインコンダクタンス（RF-g_ds）の周波数依存性について研究を行った。