[16p-Z31-1~18] 17.2 グラフェン

[16p-Z31-18] 高圧CF₄プラズマによるh-BNの選択エッチングとグラフェン素子作製

〇瀬尾 優太¹、増渕 覚¹、渡邉 瑛介¹、小野寺 桃子¹、守谷 頼¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^1,2、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：グラフェン、h-BN、エッチング

ICP-RIE装置でのh-BN及びグラフェンのCF₄プラズマエッチングでプラズマ圧力を高くすることで (P = 10 Pa)、従来に比べて非常に大きなエッチング選択比 (> 1000) を実現した。この方法を用いてグラフェン/h-BN構造をエッチングする場合、グラフェンがエッチストップ層として直下のh-BNを保護することで、グラファイトゲート直上で一次元電極を形成したグラフェン素子など、従来に比べて自由度の高い素子構造が可能となった。