[16p-Z33-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-Z33-2] Ca₂RuO₄薄膜における電流誘起抵抗転移のRu欠損量依存性

〇福地 厚¹、椿 啓司¹、石田 典輝¹、片瀬 貴義²、神谷 利夫²、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研)

キーワード：金属絶縁体転移、Ca2RuO4、モットメモリ