[16p-Z33-1~14] 6.3 Oxide electronics

[16p-Z33-4] Metallic conductivity in undoped Ti₂O₃ films

〇Kouhei Yoshimatsu^1,2, Naoto Hasegawa¹, Yusuke Nambu³, Yuta Ishii⁴, Yusuke Wakabayashi⁴, Hiroshi Kumigashira^1,2,5 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.MCES, Tokyo Inst. of Tech., 3.IMR, Tohoku Univ., 4.Department of Physics, Tohoku Univ., 5.IMSS, KEK)

Keywords:Metal-insulator transition, Oxide thin films, Pulsed-laser deposition

コランダム型構造を持つTi₂O₃は、バルク体では450 K付近で温度幅の広い金属絶縁体転移（MIT）を示す。本研究では、速度論的平衡の強いパルスレーザ堆積法を用い、高温と低温の２つの温度でTi₂O₃薄膜を合成した。その結果、低温で合成した薄膜では、バルク体とは異なりMITの消失と金属伝導が観測された。講演では、これらバルクと異なる電子物性発現の起源について考察する予定である。