[16p-Z33-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-Z33-4] 金属伝導を示すTi₂O₃薄膜

〇吉松 公平^1,2、長谷川 直人¹、南部 雄亮³、石井 祐太⁴、若林 裕助⁴、組頭 広志^1,2,5 (1.東北大多元研、2.東工大元素戦略、3.東北大金研、4.東北大院理物、5.KEK物構研)

キーワード：金属絶縁体転移、酸化物薄膜、パルスレーザ堆積法

コランダム型構造を持つTi₂O₃は、バルク体では450 K付近で温度幅の広い金属絶縁体転移（MIT）を示す。本研究では、速度論的平衡の強いパルスレーザ堆積法を用い、高温と低温の２つの温度でTi₂O₃薄膜を合成した。その結果、低温で合成した薄膜では、バルク体とは異なりMITの消失と金属伝導が観測された。講演では、これらバルクと異なる電子物性発現の起源について考察する予定である。