The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[16p-Z33-1~14] 6.3 Oxide electronics

Tue. Mar 16, 2021 1:30 PM - 5:15 PM Z33 (Z33)

Hiromichi Ohta(Hokkaido Univ.)

2:45 PM - 3:00 PM

[16p-Z33-6] Metallic transport properties and electrostatic resistance modulations in LaNiO3 ultrathin channels electrochemically etched in electric-double-layer transistors

Daisuke Kan1, Takafumi Hatano2, Akihiro Abe2, Hiroshi Ikuta2, Yuichi Shimakawa1 (1.ICR, Kyoto Univ., 2.Dept. Materials Physics, Nagoya Univ.)

Keywords:electric-double-layer transistors, electric field induced effects, Ni oxides

ペロブスカイト型Ni酸化物LaNiO3(LNO)をチャネル層とした電気二重層トランジスタを作製し、電気化学的なエッチングで極薄化したLNOの伝導特性を評価した。極薄化してもLNOチャネルは金属伝導特性を維持し、またその金属伝導特性は電界変調できることを見出した