[16p-Z35-1~8] 9.5 新機能材料・新物性

△ [16p-Z35-1] 単一元素で構成されるトポロジカル絶縁体α-Snにおける高移動度表面状態及びバルク状態の量子伝導

〇(M2)高瀬 健吾¹、Le Duc Anh^1,2,3、瀧口 耕介¹、田中 雅明^1,4 (1.東大電気、2.東大総合研究機構、3.JSTさきがけ、4.東大CSRN)

キーワード：トポロジカル絶縁体、α-Sn、量子振動

本研究では、分子線エピタキシー法を用いて高品質な3次元トポロジカル絶縁体α-Sn薄膜(9.2 nm)をInSb(001)基板上に成膜し、その量子伝導を調べた。軽いサイクロトロン質量(~ 0.035 m₀)と非自明なベリー位相(~ -0.62π)を持つα-Snの高移動度表面状態(~ 24000 cm²/Vs)と、α-Snの重い正孔状態が得られた。加えて、α-Snのバンド構造の膜厚依存性を調べた。