[17a-P01-1~6] 3.1 Basic optics and frontier of optics

[17a-P01-2] Quantum state measurement of nitrogen vacancy center in SiC crystal

〇Ken Wakabayasi¹, Yuya Tomitaka¹, Takuma Narahara^1,2, Sinitirou Satou², Kazu Kojima³, Takeshi Ohshima², Yasuto Hijikata¹ (1.Saitama Univ., 2.Ryoushikagaku Inst., 3.Sansou Inst.)

Keywords:silicon carbide, single photon source, nitrogen vacancy center

従来の暗号通信よりもはるかに秘匿性が高い「量子暗号通信」においては、安定した単一光子の生成のために“単一の”NVセンタが必要である。しかし、4H-SiC結晶中の単一NVセンタの効率的な形成メカニズムは明らかになっていない。本研究では、単一NVセンタを生成するために、プロトン照射を行った試料でPLマッピングを行い、孤立したNVセンタによる発光点を観測した。光子相関測定によって単一光子性があることを示した。