[17a-P01-1~6] 3.1 光学基礎・光学新領域

[17a-P01-2] SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定

〇若林 健¹、富高 祐哉¹、楢原 拓真^1,2、佐藤 真一郎²、児島 一聡³、大島 武²、土方 泰斗¹ (1.埼玉大理工、2.量子科学研、3.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、単一光子源、窒素空孔中心

従来の暗号通信よりもはるかに秘匿性が高い「量子暗号通信」においては、安定した単一光子の生成のために“単一の”NVセンタが必要である。しかし、4H-SiC結晶中の単一NVセンタの効率的な形成メカニズムは明らかになっていない。本研究では、単一NVセンタを生成するために、プロトン照射を行った試料でPLマッピングを行い、孤立したNVセンタによる発光点を観測した。光子相関測定によって単一光子性があることを示した。