[17a-Z10-1~10] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[17a-Z10-4] Si上ひずみGe層の直接遷移バンドギャップの温度依存性

〇劒持 進次郎¹、藤方 潤一²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.PETRA)

キーワード：ゲルマニウム、光デバイス

Ge光デバイスの動作波長は，Ge層の光吸収端，すなわち直接遷移バンドギャップで決まっており，その温度依存性はデバイスの動作特性に直結する．石英基板上貼り合わせシリコン(SOQ)ウエハ上へエピタキシャル成長したひずみGe層に対して直接遷移ギャップの温度依存性を調べた．ひずみのないバルクGeと同様，温度上昇とともに直接遷移ギャップが縮小した．その変化率はVarshniの経験式と近い値を示した．