[17a-Z10-1~10] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[17a-Z10-5] 横型PIN接合構造を用いた導波路型Ge受光器の高速動作特性の検討(II)

〇藤方 潤一¹、小野 英輝¹、中村 隆宏¹ (1.光電子融合基盤技研)

キーワード：シリコンフォトニクス、ゲルマニウム受光器

SiベースのPIN接合導波路上に細線導波路構造からなるGe層をエピタキシャル成長した20-40μm長の小型Ge受光器において，Oバンド波長帯での高速動作と入力光パワー依存性を検討し，0dBm程度の光入力に対しても60GHz程度の高い周波数帯域を実証した．