[17a-Z15-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

[17a-Z15-6] 高効率マルチ接合型太陽電池の実現に向けたキャリア密度および移動度の制御によるシリコン添加アモルファスカーボン薄膜の半導体特性の向上

〇近藤 文太¹、楢木野 宏¹、本多 謙介¹ (1.山口大学院創成科学)

キーワード：半導体、カーボン薄膜、非晶質

高効率太陽電池の大規模な普及に向けて，光学ギャップを1.25-2.76 eVの範囲で制御可能なSi添加アモルファスカーボン(a-SiC)半導体薄膜を用いたセルの多接合化が有効である．本研究では，研究の第一段階としてn型a-SiC/p-Siヘテロ接合太陽電池の高効率化のため，リンドーピングおよび薄膜の微結晶化を行うことでn型a-SiC薄膜のキャリア密度および移動度を同時に向上させた．