[17a-Z21-1~6] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[17a-Z21-6] Ni保護層を形成してポストアニールを施したMgB₂薄膜の組織と超伝導特性

〇土井 俊哉¹、神部 広翔¹、川山 巌¹、岩中 拓夢^1,2、楠 敏明²、一瀬 中³ (1.京大、2.日立、3.電中研)

キーワード：超伝導、MgB2薄膜、ポストアニール

電子ビーム(EB)蒸着法で作製したas-grown状態で高いJ_cを有するMgB₂薄膜にポストアニールを施すことで、更なるJ_c向上を目指している。アニールのMg蒸発防止層として、Niを用いた結果について報告する。As-grown試料のT_cは34.4 Kであるが450、550℃×1 hのポストアニールにより35.2、35.0 Kと0.8 K程度上昇した。しかし、650℃とさらにアニール温度を上げると、T_c < 10 Kと低下した。