[17a-Z22-1~10] 11.4 アナログ応用および関連技術

[17a-Z22-7] 磁場依存性を利用した多画素TES特性の均一性評価

〇(D)今井 悠喜^1,3、平山 文紀¹、中島 裕貴¹、神代 暁¹、山森 弘毅¹、永吉 賢一郎²、赤松 弘規²、佐藤 浩介³ (1.産総研、2.オランダ宇宙研、3.埼玉大理工)

キーワード：超伝導転移端検出器、超伝導量子干渉計

精密分光が可能な超伝導転移端検出器 (Transition Edge Sensor, TES)は磁場による性能劣化が報告されており、高計数率・短時間撮像を目指した多画素TES開発の上でも磁場環境の最適制御は必須である。今回、我々はアクティブに均一磁場を印加することでTESの性能劣化の原因となる残留磁場を特定・除去できるような測定系を構築し、実際に残留磁場の除去を行った上でX線TES46画素でX線光子のエネルギー測定に成功した。