[17a-Z24-1~9] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

[17a-Z24-2] Controlling fading characteristics of IL-CBRAM based on electrode potential arrangements

〇Dan Sato¹, Hiroshi Sato^1,2, Takuma Matsuo¹, Yusei Honma², Hisashi Shima², Yasuhisa Naitoh², Hiroyuki Akinaga², Toshiyuki Itoh³, Kentaro Kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.AIST, 3.Toyota Physical and Chemical Research Institute)

Keywords:ion liquid, AI, CBRAM

IL-CBRAMは導電性ブリッジメモリにイオン液体(IL)を添加した, 固液融合デバイスである. 構造, 材料の選択性が高く, 電気特性制御に優位性があることから, 抵抗緩和現象(Fading)を利用したAIデバイスへの応用可能性が見出されている. これまでに密着層にTaを用いることで抵抗保持時間が向上することを報告した. 今回IL中における金属の電極電位を明らかにし, この現象がガルバニック腐食によるフィラメント溶出に起因することを示した.