[17a-Z26-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17a-Z26-4] ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMセルの設計

〇原 拓実¹、吉田 隼¹、塩津 勇作¹、山本 修一郎¹、菅原 聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：パワーゲーティング、SRAM、低待機時電力