[17a-Z28-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17a-Z28-1] Difference of macrostep flow behavior in 4H-SiC solution growth with various additives

〇Takeshi Mitani¹, Kazuma Eto¹, Tomohisa Kato¹ (1.AIST)

Keywords:solution growth, macrostep, solvent

我々は4ºオフC面で80％を上回るTSD変換を実証し、昇華法を組み合わせて高品質バルク結晶を得るハイブリッド成長について報告してきた。このTSD変換を活用した結晶技術を確立するためには、マクロステップ形成過程を理解し学理・技術の両面からプロセス最適化を進めることが不可欠である。本研究ではバンチングの度合いを変化させ得るTiとAlを用いたSi系溶媒を用い、TSD変換層形成時のマクロステップ挙動を詳細に調べたので報告する。