[17a-Z28-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-Z28-2] 4H-SiC単結晶の昇華法オフ角成長における貫通らせん転位の変換挙動

〇江藤 数馬¹、三谷 武志¹、百瀬 賢治²、加藤 智久¹ (1.産総研、2.昭和電工)

キーワード：SiC、結晶成長、転位

SiC単結晶の昇華法成長において、種々のオフ基板での成長実験を行い、TSDの基底面欠陥への変換挙動を評価した。4°オフの条件ではTSDは変換していないが、8°、15°オフでは10～20％程度の割合で基底面欠陥への変換が認められており、高オフ角成長では基底面をフランク型欠陥が伝播しやすいことを示唆する結果が得られた。