[17a-Z28-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-Z28-3] 4H-SiC結晶における貫通刃状転位間の相互作用

〇別役 潔¹、星乃 紀博¹、鎌田 功穂¹、神田 貴裕²、土田 秀一¹ (1.電中研、2.ミライズ)

キーワード：転位、SiC、結晶成長

4H-SiC結晶における貫通刃状転位間(TED)の相互作用について転位論に基づき検討した。二つTED間に作用する相互作用力および対消滅・合体といった結合則は、バーガース・ベクトルのなす角で整理できる。これらを考慮し、仮想的な質量および摩擦力を仮定した転位動力学法により、二つのTEDの動きのシミュレーションを行った。講演においては、熱応力が重畳した場合についても議論する。