9:45 AM - 10:00 AM
[17a-Z28-4] Observation of behavior of threading dislocations by synchrotron section topography
Keywords:4H-SiC, dislocation, toporaphy
ガス法により得た4H-SiC 成長結晶に対し、放射光X線セクショントポグラフィ測定によって、貫通転位の結晶成長方向の挙動を調査した。
Oral presentation
15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)
Wed. Mar 17, 2021 9:00 AM - 11:45 AM Z28 (Z28)
Shunta Harada(Nagoya Univ.)
9:45 AM - 10:00 AM
Keywords:4H-SiC, dislocation, toporaphy