[17a-Z28-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-Z28-4] 放射光セクショントポグラフィによる貫通転位挙動の観察

〇鎌田 功穂¹、星乃 紀博¹、別役 潔¹、神田 貴裕²、土田 秀一¹ (1.電中研、2.ミライズ)

キーワード：4H-SiC、転位、トポグラフィ

ガス法により得た4H-SiC 成長結晶に対し、放射光Ｘ線セクショントポグラフィ測定によって、貫通転位の結晶成長方向の挙動を調査した。