[17a-Z28-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-Z28-8] SiC膜脱離を活用したSiCエピ成長装置の短時間クリーニング

間明田 巧¹、林 優也¹、〇羽深 等¹、石黒 暁夫²、石井 成明²、醍醐 佳明²、伊藤 英樹²、水島 一郎²、高橋 至直³ (1.横国大院理工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード：炭化ケイ素CVD、クリーニング、三フッ化塩素

炭化珪素(SiC)エピタキシャル成長を円滑に進めるために、成長装置のクリーニング技術が必要である。本研究では、高純度熱分解炭素(PPyC)被膜に堆積した粒子状SiC膜がClF3ガス(100％, 1気圧)により素早く脱離する現象を活用するクリーニング法を検討した。