[17a-Z29-1~10] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [17a-Z29-9] Inelastic X-ray Scattering Measurements of Phonon Spectral Line-width in Bulk SiGe

〇Ryo Yokogawa^1,2, Haruki Takeuchi¹, Yutaka Hara¹, Yasutomo Arai³, Ichiro Yonenaga⁴, Sylvia Yuk Yee Chung⁵, Motohiro Tomita⁵, Hiroshi Uchiyama⁶, Takanobu Watanabe⁵, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.JAXA, 4.Tohoku Univ., 5.Waseda Univ., 6.JASRI)

Keywords:SiGe, Inelastic X-ray Scattering, Phonon

SiGeはSi、Geに較べ熱伝導率が顕著に低くなることから、次世代熱電発電デバイスへの応用に期待されるが熱伝導率低下のメカニズムの解明にはフォノン散乱、分散曲線の理解が極めて重要である。本研究では、熱伝導の微視的機構を理解する上で重要な要素の一つであるフォノン寿命を詳細に把握するためにフォノンスペクトル線幅の測定をX線非弾性散乱法で実施し、Si、Geと異なる振る舞いを確認したので報告する。