[17a-Z31-1~10] 17.2 Graphene

[17a-Z31-10] Photo-induced structural change of graphene film epitaxially-grown on SiC(0001):correlation between structural stability and excitation condition

〇(M1)Ryosuke Horie¹, Takahiro Yamana¹, Jun'ichi Kanasaki¹, Kenji Kisoda², Kazutosi Takahashi³ (1.Osaka city Univ., 2.Wakayama Univ., 3.Saga Univ.)

Keywords:graphene, Raman scattering spectroscopy, radiation effects

前回の講演では、SiC(0001)表面上にエピタキシャル成長させたグラフェン薄膜において、光励起により多層グラフェン領域から原子層が剥離し、単層グラフェンが増大することを示した。本講演では、励起光条件(強度、偏光、照射回数)を変化させてグラフェン膜の原子層数変化を測定し、励起光の偏光方向と層剥離との相関および光励起に対する単層グラフェンの構造安定性について報告し、層剥離効率を定量評価した結果についても議論する。