2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

[17a-Z32-1~7] 15.1 バルク結晶成長

2021年3月17日(水) 09:30 〜 11:30 Z32 (Z32)

横田 有為(東北大)、荻野 拓(産総研)

11:15 〜 11:30

[17a-Z32-7] ScAlMgO4単結晶のウエハ加工

白石 裕児1、熊谷 毅1、南都 十輝1、星生 伸一2、〇福田 承生1 (1.福田結晶研、2.オータスジャパン)

キーワード:ScAlMgO₄、結晶成長

ScAlMgO4単結晶はGaNと格子定数ミスマッチが小さいだけでなく、無転位結晶が出来ること、GaN成長薄膜と自然剥離が出来、更にScAlMgO4のへき開利用により種基板の再利用も報告された。昨年2”φの高品質自立基板が発表され、パワーデバイス用としての関心も高まっている。ここではScAlMgO4のへき開加工及びエピ基盤用加工について発表する。