[17a-Z33-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

[17a-Z33-8] N-type control of solid-phase-crystallized GeSn thin films using spin-on-glass technique
and its thermoelectric application

〇Tomoki Ozawa¹, Toshifumi Imajo¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko^1,2 (1.Univ. of Tsukuba, 2.JST PRESTO)

Keywords:flexible thermoelectric, spin-on-glass, germanium

我々は絶縁基板上Ge固相成長において，加熱堆積により前駆体密度を制御することで，p型Ge膜の高移動度化を実現した．また，微量Sn添加による移動度の向上も明らかにした．さらに，堆積中にn型ドーパントを添加することで，低温多結晶Ge薄膜として最高の電子移動度も達成してきた．本研究では，リン添加スピンオンガラス液を用いて高い電子移動度を持つn型GeSn薄膜の形成に成功するとともに，高い出力因子を実証したので報告する．