[17a-Z33-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[17a-Z33-8] 拡散剤を用いた固相成長GeSn薄膜のn型伝導制御と熱電応用

〇小澤 知輝¹、今城 利文¹、末益 崇¹、都甲 薫^1,2 (1.筑波大院 数理物質、2.JSTさきがけ)

キーワード：フレキシブル熱電、拡散剤、ゲルマニウム

我々は絶縁基板上Ge固相成長において，加熱堆積により前駆体密度を制御することで，p型Ge膜の高移動度化を実現した．また，微量Sn添加による移動度の向上も明らかにした．さらに，堆積中にn型ドーパントを添加することで，低温多結晶Ge薄膜として最高の電子移動度も達成してきた．本研究では，リン添加スピンオンガラス液を用いて高い電子移動度を持つn型GeSn薄膜の形成に成功するとともに，高い出力因子を実証したので報告する．