[17a-Z35-1~10] 13.9 Compound solar cells

[17a-Z35-2] Improved conversion efficiency of GaAsPN solar cell by proton/electron beam irradiation

〇Daiki Hamamoto¹, Keisuke Yamane¹, Tomoya Arai¹, Ryo Futamura¹, Taishi Sumita², Mitsuru Imaizumi², Takeshi Ohshima³, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech, 2.JAXA, 3.QST)

Keywords:compound semiconductor, proton beam, electron beam

III-V-N混晶はN組成の増加によりN起因の点欠陥が電気的特性の低下につながることが課題とされている。我々は陽子線あるいは電子線を照射後、アニール処理を施すことでPL特性を改善できることを報告してきた。本研究ではこの結晶性改善効果がGaAsPN太陽電池の効率に与える影響を検討した。結論として逆方向飽和電流の低下や短絡電流値、FFの改善が見られ、GaAsPNの結晶性改善効果をデバイスレベルで確認することができた。