[17p-P06-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17p-P06-8] 高性能p型SnO TFTに向けた窒素アニール条件の検討

〇(B)渡辺 幸太郎¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：半導体